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| 高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响 | |
| 引用本文： | 李俊杰,郑伟涛,卞海蛟,吕宪义,姜志刚,白亦真,金曾孙,赵永年.高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响[J].物理学报,2003,52(7). |
| 作者姓名： | 李俊杰 郑伟涛 卞海蛟 吕宪义 姜志刚 白亦真 金曾孙 赵永年 |
| 作者单位： | 1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023;延边大学理工学院,延吉,133002 2. 吉林大学材料科学与工程学院,长春,130023 3. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023 |
| 基金项目： | 高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划，高等学校博士学科点专项科研项目 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射方法在纯N2气氛中沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900 ℃.对高温退火引起的CNx薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变化进行研究.用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及键合结构的变化,其中sp2键及薄膜中N的含量与薄膜的场发射特性密切相关.退火实验的结果表明高温退火可以导致CNx薄膜中N含量大量损失,并在薄膜中形成大量sp2键,这些化学成分及键合结构上的变化将直接影响CNx薄膜的场发射特性.与其他温度退火样品相比,750 ℃退火的样品具有最低的阈值电场,显示出较好的场发射特性. |
| 关 键 词： | CNx薄膜 化学键合 退火温度 场致电子发射 |
The effect of annealing on the field emission properties of amorphous CNx films |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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