| Cd1-x ZnxTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响 |
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| 作者单位： | 李宇杰（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072）;张晓娜（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072）;介万奇（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072） |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金(批准号:59825109)和国家自然科学基金(批准号:59982006)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用传统Bridgman方法和加入accelerated
crucible rotation technique的Bridgman(缩写为ACRT-B)方法生长的Cd1-xZnxTe(x=0.04)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷.为了减少甚至消除这些缺陷,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火.从Cd-Te和Cd0.96Zn0.04Te的P-T相图出发,详细讨论了CdZnTe晶体的气-固平衡条件,并以此为依据选择退火条件,对ACRT-B法生长的Cd0.96Zn0.04Te晶体进行了退火实验研究.实验结果表明,气氛中的Zn压在一定程度内高于平衡压力有利于晶体中多余Te向晶体表面扩散,即有利于消除Te沉淀.但过高的Zn压会使晶体表面成分偏离原始的化学配比.此时,晶体表面与气氛强烈的原子交换,将造成严重的表面损伤,形成一层结晶质量很差的表面层.同时,Zn原子向晶内的扩散,抑制了退火过程中晶内杂质向晶体表面的扩散.因此,在较低的Zn压下退火(但仍处于气-固平衡范围内),能排除晶内杂质.通过仔细研究不同条件下退火后晶片的结晶质量和断面成分分布,可以认为CdZnTe晶体的退火可分为去沉淀相退火、去杂质退火和均匀化退火几种,最佳的退火工艺应是多步骤、多阶段的组合退火工艺.
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| 关 键 词： | Cd1-xZnxTe 退火 气-固平衡 |
| 文章编号： | 1000-3290/2001/50(12)2327-08 |
| 修稿时间： | 2001年6月1日 |
EFFECTS OF ANNEALING CONDITIONS ON THE CRYSTALLIZATION QUALITIES OF Cd1- x
Znx Te SLICES |
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