| 氢空位簇调控锗烷的电子结构和分子掺杂 |
| |
| 引用本文： | 杨子豪,刘刚,吴木生,石晶,欧阳楚英,杨慎博,徐波.氢空位簇调控锗烷的电子结构和分子掺杂[J].物理学报,2023(12):247-257. |
| |
| 作者姓名： | 杨子豪 刘刚 吴木生 石晶 欧阳楚英 杨慎博 徐波 |
| |
| 作者单位： | 1. 江西师范大学物理与通信电子学院 |
| |
| 基金项目： | 江西省自然科学基金(批准号:20224ACB201010,20212BAB201017)；;国家自然科学基金(批准号:12064014,12064015,51962010,12174162,12164019)； |
| |
| 摘 要： | 锗烷因其合适的带隙、较高的电子迁移速率、较好的环境稳定性、较小的电噪声和超薄的几何结构,有望取代现有硅基或锗基材料成为下一代半导体器件的理想载体.基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理方法,研究了不同构型和浓度的氢空位簇对锗烷电子结构及锗烷中四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene,TTF)分子掺杂性能的影响.计算结果表明,不同构型氢空位簇的引入可诱导Germanane Dehydrogenated-x H (GD–xH)体系产生不同性质的磁性,且磁矩大小亦与Lieb定理的预测结果相符,并能在GD-x H (x=1, 4, 6)体系自旋向下的能带结构中实现由缺陷态引起的类p型半导体掺杂效应,其电子激发所需的能量则会随着体系脱氢浓度的升高而不断降低.吸附TTF分子后, G/TTF和GD-xH/TTF (x=1, 2, 6)体系表现出分子掺杂效应,且GD-x H/TTF (x=1, 6)体系因分子轨道与缺陷态的杂化作用,可在自旋向上与自旋向下的能带结构中形成不同的掺杂类型.进一步的量子输运计算还表明, Armchair和Zigzag...
|
| 关 键 词： | 锗烷 缺陷 分子吸附 电子性质 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
