| 硅量子点发光的激活及其物理模型研究 |
| |
| 引用本文： | 黄伟其,黄忠梅,苗信建,刘世荣,秦朝建.硅量子点发光的激活及其物理模型研究[J].物理学报,2012,61(21):237-243. |
| |
| 作者姓名： | 黄伟其 黄忠梅 苗信建 刘世荣 秦朝建 |
| |
| 作者单位： | 1. 贵州大学纳米光子物理研究所、光电子技术与应用省重点实验室,贵阳,550025
2. 中国科学院地球化学研究所、矿床地球化学国家重点实验室,贵阳,550003 |
| |
| 摘 要： | 在真空或惰性气体中制备的硅量子点发光很弱,硅量子点表面被氢较好钝化后的发光也不强.硅量子点表面的硅氧键或硅氮键能破坏这种钝化并在带隙中形成局域电子态,在局域电子态对应的激活中心有很强的发光.可以用这种方式构建发光物质,控制硅量子点表面的键合可获得不同波长的发光.在硅量子点的发光激活处理过程中,退火是很重要的环节.对于硅量子点发光激活的机理,本文给出了相应的物理模型.实验证明,在600和700 nm波长附近观察到了激活硅量子点的受激发光,在1500 nm到1600 nm波长范围观察到了激活硅量子点的较强发光.
|
| 关 键 词： | 发光的激活 硅量子点 局域态 |
Physical model for activation of emission on silicon quantum dots |
| |
| Huang Wei-Qi,Huang Zhong-Mei,Miao Xin-Jian,Liu Shi-Rong,Qin Chao-Jian.Physical model for activation of emission on silicon quantum dots[J].Acta Physica Sinica,2012,61(21):237-243. |
| |
| Authors: | Huang Wei-Qi Huang Zhong-Mei Miao Xin-Jian Liu Shi-Rong Qin Chao-Jian |
| |
| Affiliation: | (2)) 1)(Institute of Nanophotonic Physics,Key Laboratory of Photoelectron Technology and Application,Guizhou University,Guiyang 550025,China) 2)(State Key Laboratory of Ore Deposit Geochemistry Institute of Geochemistry,Chinese Academy of Sciencees,Guiyang 550003,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Si quantum dots activation for emission localized states |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
