| 多台阶器件结构深层表面光刻工艺优化 |
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| 引用本文： | 孙丽媛,高志远,邹德恕,张露,马莉,田亮,沈光地.多台阶器件结构深层表面光刻工艺优化[J].物理学报,2012,61(20):376-383. |
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| 作者姓名： | 孙丽媛 高志远 邹德恕 张露 马莉 田亮 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124 |
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| 基金项目： | 北京工业大学博士科研启动基金，北京工业大学研究生科技基金( |
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| 摘 要： | 针对多台阶器件结构深层表面光刻工艺中存在的问题,对不同台阶高度分别测量了台阶表面及台阶底部沉积的光刻胶厚度,并对台阶高度与光刻胶厚度的关系进行数值描述与分析.基于Beer定律对薄光刻胶光吸收系数的描述,分析了通过实验得到的不同曝光时间下光刻胶的光强透过率曲线,解释了随着曝光时间的增加光刻胶光强透过率发生变化的原因,同时认为光刻胶光吸收系数与光刻胶厚度密切相关.在此基础上,确定了台阶底部堆积光刻胶完全曝光所需时间.优化平面光刻工艺,在不同台阶高度的深台阶表面及底部同时制作出窄线条的高质量图形.
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| 关 键 词： | 多台阶 光刻工艺 |
The optimization of lithography process on the deep muti-stepped surface |
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| Sun Li-Yuan Gao Zhi-Yuan Zou De-Shu Zhang Lu Ma Li Tian Liang Shen Guang-Di.The optimization of lithography process on the deep muti-stepped surface[J].Acta Physica Sinica,2012,61(20):376-383. |
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| Authors: | Sun Li-Yuan Gao Zhi-Yuan Zou De-Shu Zhang Lu Ma Li Tian Liang Shen Guang-Di |
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| Affiliation: | Sun Li-Yuan Gao Zhi-Yuan Zou De-Shu Zhang Lu Ma Li Tian Liang Shen Guang-Di (Key Laboratory of Opto-Electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multi-stepped lithography processes |
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