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| 载流子导引的折射率变化偏振相关性研究 | |
| 引用本文： | 缪庆元,崔俊,胡蕾蕾,何健,何平安,黄德修.载流子导引的折射率变化偏振相关性研究[J].物理学报,2012,61(20):503-507. |
| 作者姓名： | 缪庆元 崔俊 胡蕾蕾 何健 何平安 黄德修 |
| 作者单位： | 1. 武汉大学电子信息学院,武汉,430072 2. 武汉光迅科技股份有限公司,武汉,430205 3. 华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，湖北省自然科学基金( |
| 摘 要： | 分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10-2量级)和折射率变化低偏振相关(10-4量级)的量子阱结构.研究表明,不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱. |
| 关 键 词： | 折射率变化 载流子导引 偏振相关 量子阱 |
Polarization dependence of carrier-induced refractive index change |
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| Miao Qing-Yuan,CuiJun,Hu Lei-Lei,He Jian,He Ping-An,Huang De-Xiu.Polarization dependence of carrier-induced refractive index change[J].Acta Physica Sinica,2012,61(20):503-507. | |
| Authors: | Miao Qing-Yuan CuiJun Hu Lei-Lei He Jian He Ping-An Huang De-Xiu |
| Affiliation: | (3)) 1)(School of Electronic Information,Wuhan University,Wuhan 430072,China) 2)(Accelink Technologies Co.,Ltd,Wuhan 430205,China) 3)(College of Optoelectronic Science and Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | refractive index change carrier-induced polarization dependence quantum well |
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