| 界面效应调制忆阻器研究进展 |
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| 引用本文： | 贾林楠,黄安平,郑晓虎,肖志松,王玫.界面效应调制忆阻器研究进展[J].物理学报,2012,61(21):434-444. |
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| 作者姓名： | 贾林楠 黄安平 郑晓虎 肖志松 王玫 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学物理系,北京,100191 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部新世纪优秀人才计划，高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金( |
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| 摘 要： | 忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.
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| 关 键 词： | 忆阻器 忆阻机理 界面效应 非易失存储 |
Progress of memristor modulated by interfacial effect |
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| Jia Lin-Nan Huang An-Ping Zheng Xiao-Hu Xiao Zhi-Song Wang Mei.Progress of memristor modulated by interfacial effect[J].Acta Physica Sinica,2012,61(21):434-444. |
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| Authors: | Jia Lin-Nan Huang An-Ping Zheng Xiao-Hu Xiao Zhi-Song Wang Mei |
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| Affiliation: | Jia Lin-Nan Huang An-Ping Zheng Xiao-Hu Xiao Zhi-Song Wang Mei (Department of Physics,Beihang University,Beijing 100191,China ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | memristor memristive mechanism interfacial effect non-volatile storage |
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