| SilooP2．5（GaP）1．5中随机孔洞对热电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 何琴玉,罗海津,王银珍,李炜,苏佳槟,雷正大,陈振瑞,张勇.SilooP2．5（GaP）1．5中随机孔洞对热电性能的影响[J].物理学报,2012,61(23). |
| |
| 作者姓名： | 何琴玉 罗海津 王银珍 李炜 苏佳槟 雷正大 陈振瑞 张勇 |
| |
| 作者单位： | 华南师范大学物理与电信工程学院,先进材料实验室,电子信息材料和器件研究所,量子信息技术实验室,广州510006 |
| |
| 基金项目： | 广东省自然科学基金，广东省市科技攻关项目，广东省科技攻关项目，国家自然科学基金( |
| |
| 摘 要： | 纯硅由于原材料来源广、熔点高，是潜在的太阳能热发电用热电材料．它的热电绩效因子ZT很小，室温只有0．01．本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si100P25（GaP）1．5，获得813℃时的ZT为0．47．本文在此基础上，通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si100P2．5（GaP）1．5的ZT．结果表明：由于孔洞增加了对低能载流子的过滤，Seebeck系数得到了提高；又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射，晶格热导率大大降低，结果Si100P2.5（GaPh5的ZT提高了32％．研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径．
|
| 关 键 词： | 热电性能 随机孔洞 Si100P2 5(GAP)1 5 |
Effects of random pores on the thermoelectric properties of SilooP2.5 (GaP)1.5 bulk |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | thermoelectric property random pores SilooP2 5 (GaPh 5 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
