|
|||||
|
|
| 掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能 | |
| 引用本文： | 李智敏,施建章,卫晓黑,李培咸,黄云霞,李桂芳,郝跃.掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能[J].物理学报,2012,61(23):410-415. |
| 作者姓名： | 李智敏 施建章 卫晓黑 李培咸 黄云霞 李桂芳 郝跃 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学技术物理学院,西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071 2. 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071 3. 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071 |
| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数.结果表明:Al掺杂后,Fermi能级进入价带,带隙宽度略为加宽,在8.2—12.4 GHz范围内介电常数大幅度增大.利用燃烧合成法制备了Al掺杂的3C-SiC粉体吸收剂,通过矢量网络分析仪测试了样品在8.2—12.4 GHz范围内的微波介电常数,验证了理论计算结果,并讨论了微波损耗机理. |
| 关 键 词： | Al掺杂SiC 第一性原理 能带结构 介电性能 |
First principles calculation of electronic structure for Al-doped 3C-SiC and its microwave dielectric properties |
|
| Li Zhi-Min,Shi Jian-Zhang,Wei Xiao-Hei,Li Pei-Xian,Huang Yun-Xia,Li Gui-Fang,Hao Yue.First principles calculation of electronic structure for Al-doped 3C-SiC and its microwave dielectric properties[J].Acta Physica Sinica,2012,61(23):410-415. | |
| Authors: | Li Zhi-Min Shi Jian-Zhang Wei Xiao-Hei Li Pei-Xian Huang Yun-Xia Li Gui-Fang Hao Yue |
| Affiliation: | (2)) 1)(School of Technical Physics,Xidian University,Xi’an 710071,China) 2)(Key Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Materials & Devices,Xidian University,Xi’an 710071,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | Al-doped SiC first principles band structure dielectric property |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |
