| 不同氮源制备CNx纳米管薄膜及其低场致电子发射性能 |
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| 引用本文： | 丁佩,晁明举,梁二军,郭新勇.不同氮源制备CNx纳米管薄膜及其低场致电子发射性能[J].物理学报,2005,54(12). |
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| 作者姓名： | 丁佩 晁明举 梁二军 郭新勇 |
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| 基金项目： | 河南省高校杰出科研创新人才工程项目，郑州航空工业管理学院校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用高温热解法,分别以氯化铵(NH4Cl)和乙二胺(C2H8N2)为氮源在洁净的硅片上沉积生长CNx纳米管薄膜.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx纳米管进行形貌观察和表征.结果显示不同氮源制备出的CNx纳米管薄膜的洁净度、有序度以及纳米管的结构明显不同.热解乙二胺(C2H8N2)/二茂铁(C10H10Fe)制备出的结晶度较低的"竹节状"结构CNx纳米管平行基底表面有序生长,而且低场致电子发射性能优越,开启电场1.0V/μm,外加电场达到2.89V/μm时发射电流密度为860μA/cm2.
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| 关 键 词： | CNx纳米管 高温热解 "竹节状"结构 场致发射 |
Fabrication of CNx nanotubes films using different nitrogen sources and their low field emission properties |
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| Ding Pei,Chao Ming-Ju,Liang Er-Jun,Guo Xin-Yong.Fabrication of CNx nanotubes films using different nitrogen sources and their low field emission properties[J].Acta Physica Sinica,2005,54(12). |
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| Authors: | Ding Pei Chao Ming-Ju Liang Er-Jun Guo Xin-Yong |
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