| 辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响 |
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| 引用本文： | 范隆,郝跃.辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响[J].物理学报,2007,56(6). |
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| 作者姓名： | 范隆 郝跃 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.
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| 关 键 词： | 辐射损伤 应力弛豫 |
The effect of radiation induced strain relaxation on electric performance of AImGa1-Mn/GaN HEMT |
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| Fan Long,Hao Yue.The effect of radiation induced strain relaxation on electric performance of AImGa1-Mn/GaN HEMT[J].Acta Physica Sinica,2007,56(6). |
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| Authors: | Fan Long Hao Yue |
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| Keywords: | AlmGa1-mN/GaN HEMT |
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