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原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究
引用本文:张军,谢二庆,付玉军,李晖,邵乐喜.原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究[J].物理学报,2007,56(8).
作者姓名:张军  谢二庆  付玉军  李晖  邵乐喜
作者单位:1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江,524048
2. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
3. 湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江,524048
基金项目:广东省自然科学基金;广东省教育厅自然科学研究计划
摘    要:采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用.

关 键 词:p型ZnO薄膜  Zn3N2薄膜  射频溅射  原位氧化

Preparation of P-type ZnO thin films by in situ oxidation of Zn3N2
Zhang Jun,Xie Er-Qing,Fu YuJun,Li Hui,Shao Le-Xi.Preparation of P-type ZnO thin films by in situ oxidation of Zn3N2[J].Acta Physica Sinica,2007,56(8).
Authors:Zhang Jun  Xie Er-Qing  Fu YuJun  Li Hui  Shao Le-Xi
Abstract:
Keywords:p-type ZnO film  Zn_3N_2 film  radio-frequency sputtering  in situ oxidation
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