| γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究 |
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| 引用本文： | 丁迎春,徐明,潘洪哲,沈益斌,祝文军,贺红亮.γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究[J].物理学报,2007,56(1). |
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| 作者姓名： | 丁迎春 徐明 潘洪哲 沈益斌 祝文军 贺红亮 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅资助项目;四川师范大学重点研究经费 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
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| 关 键 词： | γ-Si3N4 光学性质 力学性质 高压 |
Electronic structure and physical properties of γ-Si3N4 under high pressure |
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| Ding Ying-Chun,Xu Ming,Pan Hong-Zhe,Shen Yi-Bin,Zhu Wen-Jun,He Hong-Liang.Electronic structure and physical properties of γ-Si3N4 under high pressure[J].Acta Physica Sinica,2007,56(1). |
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| Authors: | Ding Ying-Chun Xu Ming Pan Hong-Zhe Shen Yi-Bin Zhu Wen-Jun He Hong-Liang |
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