| K-M花样分析法测定薄晶体厚度和消光距离的不确定度评定 |
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| 引用本文： | 娄艳芝,李玉武.K-M花样分析法测定薄晶体厚度和消光距离的不确定度评定[J].物理学报,2022(14):216-225. |
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| 作者姓名： | 娄艳芝 李玉武 |
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| 作者单位： | 1. 中国航发北京航空材料研究院;2. 国家环境分析测试中心 |
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| 摘 要： | 本文通过分析200 kV加速电压条件下,单晶Si薄膜样品的透射电子显微镜(TEM)双束会聚束衍射(CBED) Kossel-M?llenstedt (K-M)花样,测定了单晶Si薄膜样品的局部厚度和Si晶体(400)晶面的消光距离ξ400.分析了影响测量不确定度的因素,并运用一阶偏导的方法讨论了各个因素对测量不确定度的影响系数,依据GB/T 27418-2017《测量不确定度评定与表示》对实验估计值进行了不确定度评定.结论如下:被测Si晶体局部厚度的实验估计值为239 nm,其合成标准不确定度为5 nm,相对标准不确定度为2.2%;包含概率为0.95时,包含因子为2.07,扩展不确定度为11 nm;加速电压为200 kV时,Si晶体(;400)晶面的消光距离ξ400的实验估计值为194 nm,合成标准不确定度为20 nm;包含概率为0.85时,包含因子为1.49,扩展不确定度为30 nm.影响试样厚度t0合成标准不确定度的主要因素是相机常数、加速电压和试样厚度;影响消光距离ξ合成标准不确定度的主要因素是相机常数、加速电压...
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| 关 键 词： | 会聚束电子衍射 厚度测定 消光距离 不确定度 |
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