| 二维磁性过渡金属卤化物的分子束外延制备及物性调控 |
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| 引用本文： | 李培根,张济海,陶野,钟定永.二维磁性过渡金属卤化物的分子束外延制备及物性调控[J].物理学报,2022(12):420-439. |
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| 作者姓名： | 李培根 张济海 陶野 钟定永 |
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| 作者单位： | 1. 中山大学物理学院;2. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11974431,92165204,11832019)；;广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2021B0301030002)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 二维磁性材料的自发磁化可以维持到单层极限下,为在二维尺度理解和调控磁相关性质提供了一个理想的平台,也使其在光电子学和自旋电子学等领域具有重要的应用前景.晶体结构为层状堆叠的过渡金属卤化物具有部分填充的d轨道和较弱的范德瓦耳斯层间相互作用等特性,是合适的二维磁性候选材料.结合分子束外延(MBE)技术,不仅可以精准调控二维磁性材料生长达到单层极限,而且可以结合扫描隧道显微术等先进实验技术开展原子尺度上的物性表征和调控.本文详细介绍了多种二维磁性过渡金属卤化物的晶体结构和磁结构,并展示了近几年来通过MBE技术生长的二维磁性过渡金属卤化物以及相应的电学和磁学性质.随后,讨论了基于MBE方法对二维磁性过渡金属卤化物的物性进行调控的方法,包括调控层间堆垛、缺陷工程以及构筑异质结.最后,总结并展望了二维磁性过渡金属卤化物研究领域在未来的发展机会与挑战.
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| 关 键 词： | 过渡金属卤化物 分子束外延 扫描隧道显微术 二维磁性 |
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