| TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-V2黄铜矿半导体的电磁性质 |
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| 引用本文： | 曾永志,黄美纯.TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-V2黄铜矿半导体的电磁性质[J].物理学报,2005,54(4):1749-1755. |
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| 作者姓名： | 曾永志 黄美纯 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10274946,60336010)资助的课题 |
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| 摘 要： | 利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定.其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS.当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态.在(Cd,Mn)GeP2和(Zn,Mn)GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 过渡金属 双交换作用 铁磁状态 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(04)/1749-07 |
| 修稿时间： | 2004年8月10日 |
Electronic and magnetic properties of 3d transition-metal-doped Ⅱ- Ⅳ-V2 chalcopyrite semiconductor |
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| ZENG Yong-zhi,HUANG Mei-chun.Electronic and magnetic properties of 3d transition-metal-doped Ⅱ- Ⅳ-V2 chalcopyrite semiconductor[J].Acta Physica Sinica,2005,54(4):1749-1755. |
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| Authors: | ZENG Yong-zhi HUANG Mei-chun |
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