| 微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究 |
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| 引用本文： | 丁万昱,徐军,陆文琪,邓新绿,董闯.微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究[J].物理学报,2009,58(6). |
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| 作者姓名： | 丁万昱 徐军 陆文琪 邓新绿 董闯 |
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| 作者单位： | 1. 大连交通大学光电材料与器件研究所,大连,116028;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
2. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射法在不同N2流量下制备无氢SiNx薄膜.通过X光电子能谱、纳米硬度仪等表征技术,研究了不同N2流量下制备的SiNx薄膜的化学键结构、化学键含量、元素配比及各元素沿深度分布.研究结果表明,N2流量是影响SiNx薄膜化学键结构、元素配比、元素延深度分布等性质的主要因素.在N2流量为1 sccm的条件下制备的SiNx薄膜呈富Si态;在N2流量为2 sccm的条件下制备的SiNx薄膜中Si-N键含量最高,可达到94.8%,化学吸附主要发生在薄膜表面,同时薄膜具有较好的机械性能,硬度值可达到22.9 GPa;在N2流量为20 sccm条件下制备的SiNx薄膜,薄膜表面含有46.8%的N-Si-O键及18.6%的Si-O键结构,薄膜内部含有36.8%的N-Si-O键及12.5%的Si-O键结构,表明薄膜结构疏松,在空气中易被氧化,化学吸附在薄膜表面及内部同时发生,因此薄膜具有较差的机械性能,硬度值仅为12 GPa.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 化学键结构 |
An XPS study on the structure of SiNx film deposited by microwave ECR magnetron sputtering |
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| Ding Wan-Yu,Xu Jun,Lu Wen-Qi,Deng Xin-Lu,Dong Chuang.An XPS study on the structure of SiNx film deposited by microwave ECR magnetron sputtering[J].Acta Physica Sinica,2009,58(6). |
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| Authors: | Ding Wan-Yu Xu Jun Lu Wen-Qi Deng Xin-Lu Dong Chuang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiNx XPS |
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