| 用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析 |
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| 引用本文： | 林璇英,黄创君,林揆训,余运鹏,余楚迎,黄锐.用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析[J].物理学报,2004,53(5). |
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| 作者姓名： | 林璇英 黄创君 林揆训 余运鹏 余楚迎 黄锐 |
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| 作者单位： | 汕头大学物理系,汕头,515063 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .
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| 关 键 词： | 拉曼散射光谱 多晶硅薄膜 微结构 |
Raman analysis of microstructure of polycrystalline silicon films deposited at low-temperatures from SiCl4- H2 |
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| Keywords: | Raman scattering spectra pc-Si film microstructure |
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