低通量慢中子辐照对高T_c超导体正常态电阻的影响及其机理探讨 |
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引用本文: | 金继荣,金新,韩永胜,吉和林,谢晖,张治平,姚希贤.低通量慢中子辐照对高T_c超导体正常态电阻的影响及其机理探讨[J].物理学报,1993(8). |
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作者姓名: | 金继荣 金新 韩永胜 吉和林 谢晖 张治平 姚希贤 |
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作者单位: | 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京大学化学系配位化学研究所,南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 南京 210008,南京 210008,南京 210008,南京 210008,南京 210008,南京 210008 |
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基金项目: | 国家超导技术联合研究开发中心基金资助项目,高等学校博士学科点专项科研基金项目 |
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摘 要: | 研究了低通量(~10~8n/cm~2)慢中子对Y系、Bi系及其掺杂高T_c超导体(HTSC)正常态电阻的影响及其机理。实验结果表明,HTSC在低通量慢中子辐照后,正常态电阻R不仅不遵从随辐照通量φ_n按指数增加的规律,而且还会较大幅度地减小。
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