首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

α-Mg3Sb2的电子结构和力学性能
引用本文:余伟阳,唐壁玉,彭立明,丁文江.α-Mg3Sb2的电子结构和力学性能[J].物理学报,2009,58(Z1).
作者姓名:余伟阳  唐壁玉  彭立明  丁文江
作者单位:1. 湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭,411105
2. 湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭,411105;广西大学化学与化工学院,南宁,530004
3. 上海交通大学材料科学与技术学院,轻合金精密成型国家工程研究中心,上海,200030
基金项目:国家自然科学基金,湖南省自然科学基金,材料设计与制备技术湖南省重点实验室开放课题,广西大学科研基金 
摘    要:运用第一性原理研究了Mg-Sb合金中典型沉淀相α-Mg3Sb2的几何、电子结构和力学性能.结构优化得到的晶格常数和形成能与实验值符合很好.电子结构分析表明,具有半导体性质的α-Mg3Sb2带隙为0.303 eV,是间接带隙半导体.通过计算得到了α-Mg3Sb2的弹性常数,进而得到模量、泊松比等力学参数,对力学参数进行分析发现,α-Mg3Sb2有很好的延展性而塑性相对较差.通过对α-Mg3Sb2施加应变前后态密度的变化分析,发现对于六角结构的α-Mg3Sb2,与剪切模量相关的C11+C12,C33/2和与体模量相关的C11+C12+2C13+C33/2对体积变化不保守,而(C11-C12)/4和C44对体积变化保守.

关 键 词:α-Mg3Sb2  第一性原理  电子结构  力学性能  α-Mg3Sb2
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号