α-Mg3Sb2的电子结构和力学性能 |
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引用本文: | 余伟阳,唐壁玉,彭立明,丁文江.α-Mg3Sb2的电子结构和力学性能[J].物理学报,2009,58(Z1). |
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作者姓名: | 余伟阳 唐壁玉 彭立明 丁文江 |
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作者单位: | 1. 湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭,411105 2. 湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭,411105;广西大学化学与化工学院,南宁,530004 3. 上海交通大学材料科学与技术学院,轻合金精密成型国家工程研究中心,上海,200030 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,湖南省自然科学基金,材料设计与制备技术湖南省重点实验室开放课题,广西大学科研基金 |
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摘 要: | 运用第一性原理研究了Mg-Sb合金中典型沉淀相α-Mg3Sb2的几何、电子结构和力学性能.结构优化得到的晶格常数和形成能与实验值符合很好.电子结构分析表明,具有半导体性质的α-Mg3Sb2带隙为0.303 eV,是间接带隙半导体.通过计算得到了α-Mg3Sb2的弹性常数,进而得到模量、泊松比等力学参数,对力学参数进行分析发现,α-Mg3Sb2有很好的延展性而塑性相对较差.通过对α-Mg3Sb2施加应变前后态密度的变化分析,发现对于六角结构的α-Mg3Sb2,与剪切模量相关的C11+C12,C33/2和与体模量相关的C11+C12+2C13+C33/2对体积变化不保守,而(C11-C12)/4和C44对体积变化保守.
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关 键 词: | α-Mg3Sb2 第一性原理 电子结构 力学性能 α-Mg3Sb2 |
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