| GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响 |
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| 引用本文： | 朱彦旭,曹伟伟,徐晨,邓叶,邹德恕.GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响[J].物理学报,2014(11):270-274. |
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| 作者姓名： | 朱彦旭 曹伟伟 徐晨 邓叶 邹德恕 |
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| 作者单位： | 北京工业大学;省部共建光电子重点实验室; |
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| 基金项目： | 北京市教委基金(批准号:KM201210005004);国家自然科学基金(批准号:61107026)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 本文制备了AlGaN/GaN HEMT器件中常规结构与带有纵向接触孔结构的两种接触电极,研究了该两种源欧姆接触模式对器件电学特性的影响.在相同条件下进行快速退火,发现在750?C下退火30 s后,常规结构还没有形成欧姆接触,而带有纵向欧姆接触孔的接触电极与外延片已经形成了良好的欧姆接触.同时,比较了Ti/Al/Ti/Au和Ti/Al/Ni/Au电极退火后表面形态,Ti/Al/Ni/Au具有更好的表面形貌.通过测试两种结构的HEMT器件后,发现采用纵向欧姆接触孔结构器件具有更高的跨导和饱和电流,但是也会在栅极电压为0.5—2 V之间产生严重的电流崩塌现象.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN 高迁移率电子晶体管 欧姆接触 |
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