| 应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 吴木生,徐波,刘刚,欧阳楚英.应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究[J].物理学报,2012,61(22):387-391. |
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| 作者姓名： | 吴木生 徐波 刘刚 欧阳楚英 |
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| 作者单位： | 江西师范大学物理与通信电子学院,南昌,330022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10904054);江西省自然科学基金(批准号:2009GQW008,2010GZW0028)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质．本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变（0．5％）时，其能带结构由直接带隙转变为间接带隙．随着应变的增加，能带仍然保持间接带隙的特征，且禁带宽度呈现线性下降的趋势．通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析，揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因．
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| 关 键 词： | 二硫化钼 应变 能带 第一性原理 |
The effect of strain on band structure of single-layer MoS2:an ab initio study |
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| Affiliation: | Wu Mu-Sheng Xu Bo Liu Gang Ouyang Chu-Ying( College of Physics and Communication Electronics, Jiangxi Normal University, Nanchang, Jiangxi 330022, China ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MoS2 strain band structure ab initio |
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