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La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响
引用本文:郭冬云,王耘波,于军,高俊雄,李美亚.La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响[J].物理学报,2006,55(10).
作者姓名:郭冬云  王耘波  于军  高俊雄  李美亚
摘    要:利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.

关 键 词:铁电性能  Bi4Ti3O12薄膜  Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜  sol-gel法  La掺杂

Effect of La doping on ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 thin film
Guo Dong-Yun,Wang Yun-Bo,Yu Jun,Gao Jun-Xiong,Li Mei-Ya.Effect of La doping on ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 thin film[J].Acta Physica Sinica,2006,55(10).
Authors:Guo Dong-Yun  Wang Yun-Bo  Yu Jun  Gao Jun-Xiong  Li Mei-Ya
Abstract:
Keywords:
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