自发有序Ga_(0-5)In_(0-5)P合金的静压光致发光研究 |
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引用本文: | 李国华,刘振先,韩和相,汪兆平,董建荣,陆大成,孙殿照,王占国.自发有序Ga_(0-5)In_(0-5)P合金的静压光致发光研究[J].物理学报,1996(9). |
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作者姓名: | 李国华 刘振先 韩和相 汪兆平 董建荣 陆大成 孙殿照 王占国 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所 |
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摘 要: | 在0—7GPa静压范围内测量了自发有序Ga05In05P合金的室温光致发光谱.三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低115,92和43meV,它们的压力系数也从无序样品的92meV/GPa分别减小到75,81和83meV/GPa.用ΓL相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小.得到的ΓL相互作用势分别为019,015和010eV.表明在自发有序Ga05In05P合金中存在着的沿[111]方向的有序是带隙能量降低的主要原因.在样品C中还观察到了明显的ΓX反交叉行为.拟合得到的ΓX相互作用势为0011eV,比ΓL相互作用势小一个数量级.表明在此样品中除[111]有序外还存在弱的[001]有序
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