| O_2的化学吸附对2H—MoS_2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响 |
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| 引用本文： | 胡永军,林彰达,王昌衡,谢侃.O_2的化学吸附对2H—MoS_2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响[J].物理学报,1986(1). |
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| 作者姓名： | 胡永军 林彰达 王昌衡 谢侃 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所
(胡永军，林彰达，王昌衡)，中国科学院物理研究所(谢侃) |
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| 摘 要： | 利用低能N~ (0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS_2(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向E_F移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d_z~2带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O_2吸附活性,O_2吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。
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