| 脉冲偏压电弧离子镀CNx薄膜研究 |
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| 引用本文： | 李红凯,林国强,董闯.脉冲偏压电弧离子镀CNx薄膜研究[J].物理学报,2008,57(10). |
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| 作者姓名： | 李红凯 林国强 董闯 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CNx薄膜.用光学显微镜,XPS,XRD,激光Raman和Nanoindenter等方法研究了薄膜的形貌、成分、结构和性能.结果表明,薄膜表面平整致密、氮含量随着氮流量的降低而降低、结构为非晶且为类金刚石薄膜;随着氮含量从18.9%降低到5.3%(摩尔百分比,全文同),薄膜的硬度和弹性模量单调增加而且增幅较大,其中硬度从15.0 GPa成倍增加到30.0 GPa;通过氮流量的调整能够敏感地改变薄膜中的sp3键的含量,是CNx薄膜的硬度和弹性模量获得大幅度凋整的本质原因.
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| 关 键 词： | CNx薄膜 脉冲偏压 电弧离子镀 硬度 |
Investigation on CNx films deposited by pulsed bias arc ion plating |
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| Li Hong-Kai,Lin Guo-Qiang,Dong Chuang.Investigation on CNx films deposited by pulsed bias arc ion plating[J].Acta Physica Sinica,2008,57(10). |
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| Authors: | Li Hong-Kai Lin Guo-Qiang Dong Chuang |
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