| 势垒可调的氧化镓肖特基二极管 |
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| 引用本文： | 汪海波,万丽娟,樊敏,杨金,鲁世斌,张忠祥.势垒可调的氧化镓肖特基二极管[J].物理学报,2022(3):298-304. |
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| 作者姓名： | 汪海波 万丽娟 樊敏 杨金 鲁世斌 张忠祥 |
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| 作者单位： | 合肥师范学院电子信息与电气工程系;电子信息系统仿真与设计安徽省重点实验室 |
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| 基金项目： | 安徽省高校自然科学基金(批准号:KJ2019A0714,KJ2020A0091);电子信息系统仿真设计安徽省重点实验室开放基金(批准号:2019ZDSYSZB02,2020PTZD06);大学生创新创业教育训练计划(批准号:201814098030,201914098094)资助的课题。 |
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| 摘 要： | 氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n~+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5 nm、掺杂浓度为2.6×1018 cm-3时,肖特基二极管纵向电流密度高达496.88 A/cm~2、反向击穿电压为182.30 V、导通电阻为0.27 mΩ·cm~2,品质因子可达123.09 MW/cm~2.进一步研究发现肖特基二极管的性能与n~+外延层厚度和浓度有关,其电流密度随n~+外延层的厚度和浓度的增大而增大.分析表明,n~+外延层对势垒的调控在于镜像力、串联电阻及隧穿效应综合影响,其中镜像力和串联电阻对势垒的降低作用较小,而高电场下隧穿效应变得十分显著,使得热发射电流增大的同时,隧穿电流得到大幅度提升,从而进一步提升了氧化镓肖特基二极管的性能.
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| 关 键 词： | 氧化镓 肖特基二极管 有效势垒 隧穿电流 |
Barrier-tunable gallium oxide Schottky diode |
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| Wang Hai-Bo,Wan Li-Juan,Fan Min,Yang Jin,Lu Shi-Bin,Zhang Zhong-Xiang.Barrier-tunable gallium oxide Schottky diode[J].Acta Physica Sinica,2022(3):298-304. |
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| Authors: | Wang Hai-Bo Wan Li-Juan Fan Min Yang Jin Lu Shi-Bin Zhang Zhong-Xiang |
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| Affiliation: | (Department of Electronic Information and Electrical Engineering,Hefei Normal University,Hefei 230601,China;Anhui Province Key Laboratory of Simulation and Design for Electronic Information System,Hefei 230601,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gallium oxide schottky diode effective barrier tunnel current |
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