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| Bi_2Ti_2O_7/Si薄膜的制备及C-V特性研究 | |
| 引用本文： | 王少伟,陆卫,王弘,王栋,王民,沈学础.Bi_2Ti_2O_7/Si薄膜的制备及C-V特性研究[J].物理学报,2001,50(12). |
| 作者姓名： | 王少伟 陆卫 王弘 王栋 王民 沈学础 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 ;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 3. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G19980 814 0 4 0 4)，国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 88)资助的课题~~ |
| 摘 要： | 采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O7相的多晶材料 .同时还研究了Au Bi2 Ti2 O7 n Si(10 0 )结构的电容 电压 (C V)特性 ,结果表明 ,在Bi2 Ti2 O7薄膜中同时存在固定的与可移动的负电荷 ,可移动的负电荷导致了C V曲线的回线效应 |
| 关 键 词： | C-V特性 Bi2Ti2O7薄膜 电荷迁移 |
C-V CHARACTERISTICS OF Bi_2Ti_2O_7 THIN FILMS ON n-Si(100) |
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| WANG SHAO-WEI,LU WEI,WANG HONG,WANG DONG,WANG MIN,SHEN XUE-CHU.C-V CHARACTERISTICS OF Bi_2Ti_2O_7 THIN FILMS ON n-Si(100)[J].Acta Physica Sinica,2001,50(12). | |
| Authors: | WANG SHAO-WEI LU WEI WANG HONG WANG DONG WANG MIN SHEN XUE-CHU |
| Affiliation: | WANG SHAO-WEI 1)2) LU WEI 1) WANG HONG 2) WANG DONG 2) WANG MIN 2)SHEN XUE-CHU 1) 1) |
| Abstract: | We report the growth of Bi 2Ti 2O 7 thin films on n type Si substrates by the chemical solution decomposition technique. Both the X ray double-crystal diffraction and atomic force micro spectroscopy measurements are used to check the film properties. It is shown that the film is a multi crystal film dominated by the Bi 2Ti 2O 7 phase. The C V measurements are also performed on Au/Bi 2Ti 2O 7/n Si(100) MOS structure. It is revealed that both the fixed and mobile negative charges are contained in the film. The mobile negative charge results in the hysteresis loops on C V curve. |
| Keywords: | C V characteristics Bi 2Ti 2O 7 thin films charge's move |
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