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| ZnS:Ho~(3 )的辐射跃迁和无辐射过程 | |
| 引用本文： | 沈永荣,张宏.ZnS:Ho~(3 )的辐射跃迁和无辐射过程[J].物理学报,1986(12). |
| 作者姓名： | 沈永荣 张宏 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 (沈永荣)，中国科学院长春物理研究所(张宏) |
| 摘 要： | 本工作研究了Ho~(3 )离子在宽禁带半导体ZnS中的辐射跃迁和无辐射过程。用发射谱线的积分光强和激发态寿命获得ZnS:Ho~(3 )的强度参数Ω_λ,同时计算了九个激发态的辐射跃迁几率和能级寿命。另外,通过在不同温度下测定Ho~(3 )离子~5G_6,~3K_8,~5F_2,~5F_3和~5S_2(~5F_4)能级的发射光强和寿命的方法,研究了这几个激发态间的无辐射过程,其中~5G_6,~3K_8,~5F_2和~5F_3这四个能级是处于热平衡状态,而~5F_3与~5S_2(~5F_4)能级间存在五个声子((1/n)ω_(Lo)=351cm~(-1))参与的多声子弛豫过程。 |
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