| 具有poly-Si_(1-x)Ge_x栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究 |
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| 引用本文： | 刘翔宇,胡辉勇,张鹤鸣,宣荣喜,宋建军,舒斌,王斌,王萌.具有poly-Si_(1-x)Ge_x栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究[J].物理学报,2014(23):292-297. |
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| 作者姓名： | 刘翔宇 胡辉勇 张鹤鸣 宣荣喜 宋建军 舒斌 王斌 王萌 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室 |
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| 基金项目： | 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高等学校基本科研基金(批准号:K5051225014,K5051225004)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 针对具有poly-Si1-x Ge x栅的应变Si Ge p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),研究了其垂直电势与电场分布,建立了考虑栅耗尽的poly-Si1-x Ge x栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型,并利用该模型分析了poly-Si1-x Ge x栅及应变Si Ge层中Ge组分对等效氧化层厚度的影响.研究了应变Si Ge PMOSFET热载流子产生的机理及其对器件性能的影响,以及引起应变Si Ge PMOSFET阈值电压漂移的机理,并建立了该器件阈值电压漂移模型,揭示了器件阈值电压漂移随电应力施加时间、栅极电压、polySi1-x Ge x栅及应变Si Ge层中Ge组分的变化关系.并在此基础上进行了实验验证,在电应力施加10000 s时,阈值电压漂移0.032 V,与模拟结果基本一致,为应变Si Ge PMOSFET及相关电路的设计与制造提供了重要的理论与实践基础.
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| 关 键 词： | 应变Si Ge p型金属氧化物半导体场效应晶体管 poly-Si-xGex栅 热载流子 阈值电压 |
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