| Cd0.9Zn0.1Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究 |
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| 引用本文： | 李万万,孙康.Cd0.9Zn0.1Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究[J].物理学报,2007,56(11). |
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| 作者姓名： | 李万万 孙康 |
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| 摘 要： | 将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理. 借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073 K,973 K和873 K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能. 通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响.
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| 关 键 词： | 热处理 Cd气氛 扩散系数 |
Annealing of Cd0.9Zn0.1Te in cadmium vapor |
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| Li Wan-Wan,Sun Kang.Annealing of Cd0.9Zn0.1Te in cadmium vapor[J].Acta Physica Sinica,2007,56(11). |
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| Authors: | Li Wan-Wan Sun Kang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cd0 9Zn0 1Te |
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