| Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量的变化 |
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| 引用本文： | 杨福华,谭劲,周成冈,罗红波.Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量的变化[J].物理学报,2008,57(2). |
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| 作者姓名： | 杨福华 谭劲 周成冈 罗红波 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs 缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi 缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质. 在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键. CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降. CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂. 纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关.
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| 关 键 词： | Si1-xGex合金 从头计算法 CiCs缺陷 CiOi缺陷 合金半导体 CiCs 缺陷形成能 含量 变化特征 alloys defects studies 因素 位置 退火温度 等温退火 结构转变 退火过程 体系 范围 能量差 稳定性 行为 表现 |
Ab initio studies of CiCs and CiOi defects in Si1-xGex alloys |
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| Yang Fu-Hua,Tan Jin,Zhou Cheng-Gang,Luo Hong-Bo.Ab initio studies of CiCs and CiOi defects in Si1-xGex alloys[J].Acta Physica Sinica,2008,57(2). |
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| Authors: | Yang Fu-Hua Tan Jin Zhou Cheng-Gang Luo Hong-Bo |
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