| n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件 |
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| 引用本文： | 伞海生,陈冲,何毓阳,王君,冯博学.n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件[J].物理学报,2005,54(4). |
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| 作者姓名： | 伞海生 陈冲 何毓阳 王君 冯博学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 在Ar+O2气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn2O2和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系,特别强调了弛豫时间的重要性.为了提高导电膜的透射率,还分析了Burstein-Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度T8≈280℃.实验表明,在氧分压为8％左右时制备的薄膜质量较好,热处理后的指标大约为迁移率μH=31×10-4m2/V·s,电阻率ρ=1.89×10-5Ω·m.
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| 关 键 词： | 射频反应溅射 CdIn2O4 透明导电薄膜 导电机制 带隙收缩 |
Study on electrical properties of n-type transparent and conductive CdIn2O4 thin film and the optimum preparation parameters for large-area film |
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| San Hai-Sheng,CHEN Chong,HE Yu-yang,Wang Jun,Feng Bo-Xue.Study on electrical properties of n-type transparent and conductive CdIn2O4 thin film and the optimum preparation parameters for large-area film[J].Acta Physica Sinica,2005,54(4). |
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| Authors: | San Hai-Sheng CHEN Chong HE Yu-yang Wang Jun Feng Bo-Xue |
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