| 磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究 |
| |
| 引用本文： | 王振宁,江美福,宁兆元,朱丽.磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究[J].物理学报,2008,57(10). |
| |
| 作者姓名： | 王振宁 江美福 宁兆元 朱丽 |
| |
| 摘 要： | 用射频控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500-600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550 nm两个峰,应该归因于主体材料Zn2GeO4中两个不同的Ge2 的发光中心.
|
| 关 键 词： | 射频磁控溅射 荧光体 |
Structure and photoluminescence of ZnzGeO4 polycrystalline films prepared by radio-frequency magnetron sputtering |
| |
| Wang Zhen-Ning,Jiang Mei-Fu,Ning Zhao-Yuan,Zhu Li.Structure and photoluminescence of ZnzGeO4 polycrystalline films prepared by radio-frequency magnetron sputtering[J].Acta Physica Sinica,2008,57(10). |
| |
| Authors: | Wang Zhen-Ning Jiang Mei-Fu Ning Zhao-Yuan Zhu Li |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Zn2GeO4 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
