| 电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应 |
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| 引用本文： | 周玉刚,沈波,俞慧强,张荣,刘杰,周慧梅,施毅,郑有炓,Someya T,Arakawa Y.电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应[J].发光学报,2001,22(Z1):61-66. |
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| 作者姓名： | 周玉刚 沈波 俞慧强 张荣 刘杰 周慧梅 施毅 郑有炓 Someya T Arakawa Y |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,
2. Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science,University of Tokyo, 7-22-1 Roppongi, Minato-ku, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，日本科学促进会资助项目，69806006,69976041,69987001，G20000683，，JSPS-RFTF96P00201，，，， |
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| 摘 要： | 制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al0.22Ga0.78N势垒层厚度的二极管的电容-电压特性显著不同.根据对样品电容-电压特性的数值模拟,在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为30nm和45nm的样品中,异质界面的极化电荷面密度为6.78×1012cm-2.在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为75nm的样品中,极化电荷面密度降为1.30×1012cm-2.这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0.22Ga0.78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫.本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法.
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| 关 键 词： | 压电极化 异质结 电容-电压方法 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0061-06 |
| 修稿时间： | 2001年3月17日 |
Piezoelectric Polarization Effect in AlxGa1-xN/GaNHeterostructures through Capacitance-Voltage Method |
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