| 衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 叶康,叶志镇,胡少华,赵炳辉,何海平,朱丽萍.衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响[J].发光学报,2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 叶康 叶志镇 胡少华 赵炳辉 何海平 朱丽萍 |
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| 作者单位： | 浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征。结果表明,Ga-N共掺杂p型ZnMgO薄膜具有高度c轴择优取向的结构特征。生长在玻璃、(111)Si和氧化硅衬底上的ZnMgO薄膜显示p型导电性,而生长在石英衬底上的ZnMgO薄膜显示n型导电性。生长在氧化硅片衬底上的共掺杂ZnMgO薄膜的晶体质量和电学性能最优,载流子浓度为2.28×1017cm-3,电阻率为27.7Ω·cm。而且其表面形貌明显不同于生长在其他衬底上的薄膜。Ga2p和N1s的XPS谱表明Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜中存在Ga—N键,有利于N的掺入,从而易于实现p型生长。
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| 关 键 词： | ZnMgO薄膜 Ga-N共掺杂 磁控溅射 衬底 |
Effect of Substrate Style on Properties of Ga-N Codoped ZnMgO Thin Films |
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| YE Kang,YE Zhizhen,HU Shao-hua,ZHAO Bing-hui,HE Hai-ping,ZHU Li-ping.Effect of Substrate Style on Properties of Ga-N Codoped ZnMgO Thin Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(3). |
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| Authors: | YE Kang YE Zhizhen HU Shao-hua ZHAO Bing-hui HE Hai-ping ZHU Li-ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnMgO thin films Ga-N codoping magnetron sputtering substrate |
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