| 平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型 |
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| 引用本文： | 廖任远,蔡淑惠,郑永梅,王仁智,李书平.平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型[J].发光学报,2001,22(2):182-186. |
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| 作者姓名： | 廖任远 蔡淑惠 郑永梅 王仁智 李书平 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系, |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目 (E990 0 0 5 ) |
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| 摘 要： | 将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变热amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系，发现平均带阶参数Emv.av=Em-Ev.av在不同应变状态下基本上保持不变。因此，在应变层带阶参数Emv的计算中，只需计算其发生应变前体材料的带阶参数Emv.o值并引用形变b和SO裂距△0的实验值，通过简便的代数运算即可得到应变层的Emv值，从而方便地预言不同应变层异质结的价带带阶。本文引入带隙形变势aGap来描述带隙改变量△Eg随应变状态的变化。由导带带阶和价带带阶的关系△Ec=△Eg △Ev可以求出不同应变情况下的导带带阶。
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| 关 键 词： | 带阶 平均键能 异质结 应变层 半导体 能级 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)02-0182-05 |
| 修稿时间： | 2000年8月11日 |
Simplified Model of Average-bond Energy Method in Calculating |
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| LIAO Ren yuan,CAI Shu hui,ZHENG Yong mei,WANG Ren zhi,LI Shu ping.Simplified Model of Average-bond Energy Method in Calculating[J].Chinese Journal of Luminescence,2001,22(2):182-186. |
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| Authors: | LIAO Ren yuan CAI Shu hui ZHENG Yong mei WANG Ren zhi LI Shu ping |
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| Keywords: | band offset average bond energy heterojunction |
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