| PTCDI-C_8作为阴极修饰层提高钙钛矿太阳能电池的性能（英文） |
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| 引用本文： | 李志成,妙亚,刘少伟,王亚凌,曹焕奇,秦文静,杨利营,印寿根.PTCDI-C_8作为阴极修饰层提高钙钛矿太阳能电池的性能（英文）[J].发光学报,2018(9). |
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| 作者姓名： | 李志成 妙亚 刘少伟 王亚凌 曹焕奇 秦文静 杨利营 印寿根 |
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| 作者单位： | 天津理工大学材料科学与工程学院显示材料与光电器件教育部重点实验室;天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用N,N'-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率。通过调节PTCDI-C8薄膜的厚度优化界面接触和电子传输性能。实验结果表明:当PTCDI-C8薄膜的厚度为20 nm时得到的器件性能最优。光电转换效率(PCE)由5.26%提高到了8.65%,开路电压(Voc)为0.92 V,短路电流(Jsc)为15.68 m A/cm2,填充因子(FF)为60%。PTCDI-C8能够有效阻挡空穴向阴极传输,同时PTCDI-C8具有较高的电子迁移率以及较高的稳定性,在增加电子传输的同时,可减少环境对PCBM的侵蚀,提高了器件的稳定性。
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