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| 高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵 | |
| 引用本文： | 张金胜,刘晓莉,崔锦江,宁永强,朱洪波,张金龙,张星,王立军.高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵[J].发光学报,2014,35(9):1098. |
| 作者姓名： | 张金胜 刘晓莉 崔锦江 宁永强 朱洪波 张金龙 张星 王立军 |
| 作者单位： | 张金胜:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033中国科学院大学, 北京100049 刘晓莉:焦作大学 机电工程学院, 河南 焦作454000 崔锦江:中国科学院 苏州生物医学工程技术研究所, 江苏 苏州215163 宁永强:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033 朱洪波:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033 张金龙:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033 张星:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033 王立军:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51172225,11074247,61204056,61106047); 国家自然科学基金重点项目(90923037)资助 |
| 摘 要： | 为了实现808 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高功率输出,对808 nm VCSEL的分布式布拉格反射镜(DBR)结构材料进行了优化设计,分析了AlxGa1-xAs材料中Al组分对于折射率与吸收的影响,并最终确定了材料。采用非闭合环结构制备了2×2 VCSEL列阵。通过波形分析法对VCSEL列阵的功率进行了测量:在脉冲宽度为20 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为110 A的条件下,最大峰值功率为30 W;在脉冲宽度为60 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为30 A的条件下,最大功率为9 W。对列阵的近场和远场进行了测量,激光器垂直发散角和水平发散角半高全宽分别为16.9°和17.6°。 |
| 关 键 词： | 高峰值功率 nm 垂直腔面发射激光器 列阵 |
| 收稿时间： | 2014/4/28 |
High Peak Power 808 nm Vertical-cavity Surface-emitting Laser Array |
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| Abstract: | |
| Keywords: | high peak power 808 nm VCSEL arrays |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
