| 高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制 |
| |
| 引用本文： | 王小丽,牛萍娟,李晓云,于莉媛,杨广华,刘宏伟,高铁成,罗惠英,战瑛,于欣.高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制[J].发光学报,2008,29(2):330-336. |
| |
| 作者姓名： | 王小丽 牛萍娟 李晓云 于莉媛 杨广华 刘宏伟 高铁成 罗惠英 战瑛 于欣 |
| |
| 作者单位： | 天津工业大学,信息与通信工程学院,天津,300160 |
| |
| 基金项目： | 超高亮度发光二极管外延片、功率型芯片产业化及应用示范工程资助项目 |
| |
| 摘 要： | 报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量。芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5V;当工作电压达到3V时,工作电流为500mA;在工作电流为350mA时,峰值波长为635nm,半峰全宽为16.4nm,光强为830mcd。在色度学测试中,色坐标为x=0.6943,y=0.3056,显色指数为18.4。因此可以得知高亮度大功率InGaAlP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点。
|
| 关 键 词： | LED InGaAlP 湿法腐蚀 p型欧姆接触 |
| 文章编号： | 1000-7032(2008)02-0330-07 |
| 修稿时间： | 2007年9月2日 |
The Study of High-brightness and High-power InGaAlP Red LED |
| |
| WANG Xiao-li,NIU Ping-juan,LI Xiao-yun,YU Li-yuan,YANG Guang-hua,LIU Hong-wei,GAO Tie-cheng,LUO Hu-ying,ZHAN Ying,YU Xin.The Study of High-brightness and High-power InGaAlP Red LED[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(2):330-336. |
| |
| Authors: | WANG Xiao-li NIU Ping-juan LI Xiao-yun YU Li-yuan YANG Guang-hua LIU Hong-wei GAO Tie-cheng LUO Hu-ying ZHAN Ying YU Xin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LED InGaAlP wet etching p-type ohmic contact |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
