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| 正常金属—d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响 | |
| 作者姓名： | 董正超 |
| 作者单位： | 淮阴师范学院物理系 |
| 基金项目： | 江苏省教委自然科学基金 |
| 摘 要： | 考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射，运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ－ｄｅ Ｇｅｎｎｅｓ（ＢｄＧ）方程和Ｂｏｌｏｎｄｅｒ－Ｔｉｎｋｈａｍ－Ｋｌａｐｗｉｊｋ（ＢＴＫ）理论模型，计算正常金属－ｄ波超导隧道结的微分电导。计算发现：隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位，并能展示零偏压电导峰的存在；此外，杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷，而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰。这些 |
| 关 键 词： | 正常金属 超导隧道结 杂质 散射 高Tc 微分电导 |
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