| AgGa1-xInxSe2晶体热处理研究 |
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| 引用本文： | 许建华,赵北君,朱世富,陈宝军,何知宇,万书权.AgGa1-xInxSe2晶体热处理研究[J].人工晶体学报,2011,40(2):304-308. |
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| 作者姓名： | 许建华 赵北君 朱世富 陈宝军 何知宇 万书权 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 摘 要： | 结合差示扫描量热曲线(DSC)和相图确定出热处理的温度范围.分别在真空和AgGa1-xInxSe2(x=0.2,0.6,0.8)多晶粉末包埋下,对ASGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响.结果表明:用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550～5500 cm-1波数范围内整体提高到65;以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善.
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| 关 键 词： | AgGa1-xInxSe2 热处理 红外透过率 热分析 光学质量 结晶质量 |
Heat Treatment Study on AgGa1-xInxSe2 Crystals |
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| XU Jian-hua,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,CHEN Bao-jun,HE Zhi-yu,WAN Shu-quan.Heat Treatment Study on AgGa1-xInxSe2 Crystals[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(2):304-308. |
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| Authors: | XU Jian-hua ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu CHEN Bao-jun HE Zhi-yu WAN Shu-quan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AgGa1-xInxSe2 |
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