| 铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响 |
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| 引用本文： | 梁戈,郭烈萍,李洪涛,蒋百灵,焦栋茂.铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响[J].人工晶体学报,2011,40(1):114-118. |
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| 作者姓名： | 梁戈 郭烈萍 李洪涛 蒋百灵 焦栋茂 |
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| 作者单位： | 西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅科学技术研究计划 |
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| 摘 要： | 基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/Si/…Al/Si/glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了退火前、后Al/Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的本质影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,随退火过程的进行,Al、Si原子会沿Al/si层间界面进行互扩散运动且在Si层中达到临界浓度Cs的Al原子所在区域整体呈线形平行于Al/Si界面逐渐向铝原子扩散距离增大的方向推进;随着Al层厚度的增加,Al在Si层中达到临界浓度Cs的区域整体向前推进速度加快,已扩散区域产生硅初始晶核的数量也随之增大;随Al/Si层厚比的增大,虽因铝诱导而晶化的硅薄膜均为多晶态,但非晶硅薄膜在晶化过程中的生长晶面数量增多,同时硅晶粒的尺寸有所减小.
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| 关 键 词： | 铝层厚度 非晶硅薄膜 晶化过程 扩散 |
Effect of Aluminum Layer Thickness on Crystallization Process of Aluminum Induced Amorphous Silicon Films |
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| LIANG Ge,GUo Lie-ping,LI Hong-tao,JIANG Bai-ling,JIAO Dong-mao.Effect of Aluminum Layer Thickness on Crystallization Process of Aluminum Induced Amorphous Silicon Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(1):114-118. |
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| Authors: | LIANG Ge GUo Lie-ping LI Hong-tao JIANG Bai-ling JIAO Dong-mao |
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