| 外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜 |
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| 引用本文： | 刘敬松,李惠琴,曹林洪,徐光亮.外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜[J].人工晶体学报,2011,40(1):70-74. |
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| 作者姓名： | 刘敬松 李惠琴 曹林洪 徐光亮 |
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| 作者单位： | 西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,绵阳,621010 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863)，四川省教育厅青年基金项目 |
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| 摘 要： | 以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)010]PZTⅡ(001)010]SROⅡ(001)010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.
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| 关 键 词： | 外延生长 Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜 射频磁控溅射 漏电流 损耗 |
Epitaxial Growth of Tetragonal Pb(Zr0.65 Ti0.35)O3 Thin Films |
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| LIU Jing-song,LI Hui-qin,CAO Lin-hong,XU Guang-liang.Epitaxial Growth of Tetragonal Pb(Zr0.65 Ti0.35)O3 Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(1):70-74. |
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| Authors: | LIU Jing-song LI Hui-qin CAO Lin-hong XU Guang-liang |
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