| 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟 |
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| 引用本文： | 石爱红,李源,艾文森.碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J].人工晶体学报,2020,49(10):1787-1793. |
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| 作者姓名： | 石爱红 李源 艾文森 |
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| 作者单位： | 青海民族大学化学化工学院,西宁 810007;青海民族大学能源与动力工程系,西宁 810007;西安交通大学能源与动力工程学院,西安 710049 |
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| 基金项目： | 青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q) |
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| 摘 要： | 用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制.生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响.模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式.当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式.其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加,晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式.最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显.
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| 关 键 词： | 碳化硅 动力学蒙特卡罗法 外延生长 晶体生长 岛核密度 |
Epitaxial Growth Mechanism of SiC on the Vicinal Surface Simulated by Kinetic Monte Carlo |
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| SHI Aihong,LI Yuan,AI Wensen.Epitaxial Growth Mechanism of SiC on the Vicinal Surface Simulated by Kinetic Monte Carlo[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(10):1787-1793. |
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| Authors: | SHI Aihong LI Yuan AI Wensen |
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