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GdCOB晶体的坩埚下降法生长
引用本文:钟真武,罗军,范世.GdCOB晶体的坩埚下降法生长[J].人工晶体学报,2000,29(4):320-324.
作者姓名:钟真武  罗军  范世
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
摘    要:本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30~40℃/cm,生长速度0.2~0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.

关 键 词:非线性光学晶体  GdCOB晶体  垂直Bridgman法  
修稿时间:2000-04-19

Bridgman Growth of GdCOB Crystals
ZHONG Zhen-wu,LUO Jun,FAN Shi-ji,QIAN Guo-xing,LIN Ya-fang,SUN Ren-ying.Bridgman Growth of GdCOB Crystals[J].Journal of Synthetic Crystals,2000,29(4):320-324.
Authors:ZHONG Zhen-wu  LUO Jun  FAN Shi-ji  QIAN Guo-xing  LIN Ya-fang  SUN Ren-ying
Abstract:
Keywords:
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