| 基于电阻焦耳热调控3D纳米桥结的临界电流 |
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| 引用本文： | 吴丽丽,汤演,张登辉,陈垒,王镇.基于电阻焦耳热调控3D纳米桥结的临界电流[J].低温物理学报,2020(3):136-140. |
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| 作者姓名： | 吴丽丽 汤演 张登辉 陈垒 王镇 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 超导电子学卓越创新中心, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050; 中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 超导电子学卓越创新中心, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050; 中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 超导电子学卓越创新中心, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050; 中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 超导电子学卓越创新中心, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050; 中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 超导电子学卓越创新中心, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050; 中国科学院大学, 北京 100049 |
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| 摘 要： | 近些年来, 超导三端子器件通过引入第三端可控变量可以实现单个约瑟夫森结两端临界电流的调控, 受到广泛关注. 本文介绍了一种微缩型的超导三端子器件结构, 通过电阻电流产生的焦耳热来调节3D 纳米桥结附近的局部温度, 从而实现有效调节3D 纳米桥结的临界电流. 本实验利用了两种氩(Ar) 离子表面清洗条件制备获得了两种不同电阻特性的铝(Al) 电阻条, 并且测量表征了这两种电阻条的电流焦耳功率分别与单个和两个3D 纳米桥结的临界电流之间的变化关系. 我们实现了最低使用33 μW 的电阻功率, 来达到单个3D 纳米桥结的临界电流的50% 范围内的调节, 从而验证了本超导三端子器件结构的可实用性.
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| 关 键 词： | 超导三端子器件 3D 纳米桥结 临界电流 焦耳热 |
Tuning of Critical Current of 3D Nb Nano-bridge Junctions by the Joule Heating Effect |
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| WU Lili,TANG Yan,ZHANG Denghui,CHEN Lei and WANG Zhen.Tuning of Critical Current of 3D Nb Nano-bridge Junctions by the Joule Heating Effect[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2020(3):136-140. |
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| Authors: | WU Lili TANG Yan ZHANG Denghui CHEN Lei and WANG Zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Superconducting three-terminal device 3D Nano-bridge junctions Critical current Joule heating |
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