| 区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算 |
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| 引用本文： | 曲翔,陈海滨,方锋,汪丽都,周旗钢,闫志瑞.区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算[J].人工晶体学报,2013,42(3):456-460. |
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| 作者姓名： | 曲翔 陈海滨 方锋 汪丽都 周旗钢 闫志瑞 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京100088;有研半导体材料股份有限公司,北京100088;国泰半导体材料有限公司,北京,101300;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京100088;国泰半导体材料有限公司,北京101300 |
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| 基金项目： | 硅材料设备应用工程(41091) |
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| 摘 要： | 气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20;降低到10;,从而降低生产成本.
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| 关 键 词： | 气相掺杂 区熔硅单晶 电阻率 |
Theoretical Calculation on Resistivity of Float-Zone Silicon Single Crystal Using Gas Doping |
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| QU Xiang,CHEN Hai-bin,FANG Feng,WANG Li-du,ZHOU Qi-gang,YAN Zhi-rui.Theoretical Calculation on Resistivity of Float-Zone Silicon Single Crystal Using Gas Doping[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(3):456-460. |
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| Authors: | QU Xiang CHEN Hai-bin FANG Feng WANG Li-du ZHOU Qi-gang YAN Zhi-rui |
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