| 同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 宋淑梅,宋玉厚,杨田林,贾绍辉,辛艳青,李延辉. 同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2520-2524 |
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| 作者姓名： | 宋淑梅 宋玉厚 杨田林 贾绍辉 辛艳青 李延辉 |
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| 作者单位： | 山东大学(威海)空间科学与物理学院,威海,264209;山东大学(威海)资产与实验室管理处,威海,264209;威海蓝星玻璃股份有限公司,威海,264205 |
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| 基金项目： | 山东大学自主创新基金(2011ZRYQ010,2011ZRXT002) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜.利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性.结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30;,薄膜的电阻率达到2.65×10-4 Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为91.5;.
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| 关 键 词： | ITO 同质缓冲层 电阻率 透过率, |
Effect of Homo-buffer Layer on the Properties of Indium Tin Oxide Thin Films |
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| SONG Shu-mei,SONG Yu-hou,YANG Tian-lin,JIA Shao-hui,XIN Yan-qing,LI Yan-hui. Effect of Homo-buffer Layer on the Properties of Indium Tin Oxide Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(12): 2520-2524 |
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| Authors: | SONG Shu-mei SONG Yu-hou YANG Tian-lin JIA Shao-hui XIN Yan-qing LI Yan-hui |
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