| 溅射功率对ZnO∶Si透明导电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 冯祝,万云芳. 溅射功率对ZnO∶Si透明导电薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 2080-2086 |
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| 作者姓名： | 冯祝 万云芳 |
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| 作者单位： | 山东理工大学理学院,淄博,255049 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法在室温玻璃基片上制备出了掺硅氧化锌(ZnO∶ Si)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO∶ Si薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响.结果表明,溅射功率对ZnO∶ Si薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大.实验制备的ZnO∶Si薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于基片方向的c轴择优取向.当溅射功率从45 W增加到105 W时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;当溅射功率为105 W时,薄膜的电阻率达到最小值3.83×10-4 Ω·cm,其可见光透过率为94.41;.实验制备的ZnO∶ Si薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 ZnO∶Si薄膜 光电特性, |
Effect of Sputtering Power on the Properties of Si Doped ZnO Transparent Conductive Films |
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| FENG Zhu,WAN Yun-fang. Effect of Sputtering Power on the Properties of Si Doped ZnO Transparent Conductive Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(10): 2080-2086 |
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| Authors: | FENG Zhu WAN Yun-fang |
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